刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。