目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。