硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。