判斷題設(shè)計(jì)相同電路的版圖,全定制設(shè)計(jì)通常比半定制設(shè)計(jì)占用更多面積。
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光刻時(shí),必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn),不同的掩模版之間也要對準(zhǔn),可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型:判斷題
光刻時(shí),將掩模版直接放在晶圓表面,與表面的光刻膠接觸,該種光刻方式稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少?()
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版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行?()
題型:單項(xiàng)選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?()
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集成電路的制造工藝,需要采用隔離技術(shù),常見的隔離方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMOS制作時(shí),常常用作鈍化層的材料是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜,通常簡寫為()。
題型:單項(xiàng)選擇題