刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）