未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

版圖繪制應(yīng)該在哪個視圖中進(jìn)行？（）

版圖繪制時一般用哪個圖層來實現(xiàn)器件連接？（）

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。

展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）

光刻時，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。