下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。