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問(wèn)答題由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展？

1.問(wèn)答題什么是贗晶或贗配HEMT？

因?yàn)镮n原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象

2.問(wèn)答題什么情況下器件的柵極通常要考慮采用蘑菇型即T型柵極？

柵長(zhǎng)小于0.3um

3.問(wèn)答題亞微米、深亞微米和納米的具體范圍是多少？

把0.35-0.8μm及以下稱為亞微米級(jí)0.25um及其以下為深亞微米0.05um及其以下稱為納米級(jí)

4.問(wèn)答題二維電子氣是如何形成的？

當(dāng)半導(dǎo)體表面上加一個(gè)與表面垂直的電場(chǎng)，在表面附近形成電子勢(shì)阱，就會(huì)積累起大量的電子

5.問(wèn)答題高電子遷移率晶體管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子，即二維電子氣。