問(wèn)答題MOS工藝包括有哪幾種?MOS工藝的重要參數(shù)是什么?什么是特征尺寸?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題與Si三極管相比,MESFET和HEMT存在哪些缺點(diǎn)?
3.問(wèn)答題由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展?
4.問(wèn)答題什么是贗晶或贗配HEMT?
5.問(wèn)答題什么情況下器件的柵極通常要考慮采用蘑菇型即T型柵極?
最新試題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型:判斷題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題