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問(wèn)答題怎樣實(shí)現(xiàn)四選一多路器？

應(yīng)該用2位二進(jìn)制變量組成4個(gè)控制信號(hào)，控制4個(gè)數(shù)據(jù)的選擇。

1.問(wèn)答題開發(fā)多晶硅技術(shù)解決了什么問(wèn)題？

常規(guī)CMOS結(jié)構(gòu)的閂鎖效應(yīng)嚴(yán)重地影響電路的可靠性，解決閂鎖效應(yīng)

2.問(wèn)答題版圖設(shè)計(jì)規(guī)則可以用什么形式給出？

微米規(guī)則和λ規(guī)則。

3.問(wèn)答題在氧化層上形成所需要的圖形的步驟是什么？

甩膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠。

4.問(wèn)答題形成SOI材料的主要技術(shù)是什么？

注氧隔離技術(shù)、鍵合減薄技術(shù)、智能剝離技術(shù)。

5.問(wèn)答題在場(chǎng)區(qū)中，防止出現(xiàn)寄生溝道的措施是什么？

足夠厚的場(chǎng)氧化層、場(chǎng)區(qū)注硼、合理的版圖。