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問(wèn)答題解決雙極型晶體管縱向按比例縮小問(wèn)題的方法是什么？

采用多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)，避免發(fā)射區(qū)離子注入對(duì)硅表面的損傷。

1.問(wèn)答題N阱CMOS主要工藝步驟是什么？

1、底硅片的選擇；
2、作n阱場(chǎng)區(qū)氧化；
3、作硅柵→形成源、漏區(qū)；
4、成金屬互連線。

2.問(wèn)答題縮小特征尺寸的目的是什么？

3.問(wèn)答題摩爾分析了集成電路迅速發(fā)展的原因，他指出集成度的提高主要是什么貢獻(xiàn)？

特征尺寸不斷縮小、芯片面積不斷增大、器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進(jìn)。

4.問(wèn)答題怎樣實(shí)現(xiàn)四選一多路器？

應(yīng)該用2位二進(jìn)制變量組成4個(gè)控制信號(hào)，控制4個(gè)數(shù)據(jù)的選擇。

5.問(wèn)答題開(kāi)發(fā)多晶硅技術(shù)解決了什么問(wèn)題？

常規(guī)CMOS結(jié)構(gòu)的閂鎖效應(yīng)嚴(yán)重地影響電路的可靠性，解決閂鎖效應(yīng)