WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。

QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。

鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。

關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。

倒裝芯片的連接方式有（）。

AUBM的形成可以采用（）方法。

下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。

按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。

引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。