單項(xiàng)選擇題如果淀積的膜在臺(tái)階上過度地變薄,就容易導(dǎo)致高的膜應(yīng)力、電短路或者在器件中產(chǎn)生不希望的()。
A. 誘生電荷
B. 鳥嘴效應(yīng)
C. 陷阱電荷
D. 可移動(dòng)電荷
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1.多項(xiàng)選擇題采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層,是利用其具有的()
A.高電阻率;
B.高化學(xué)穩(wěn)定性;
C.低介電常數(shù);
D.高介電強(qiáng)度。
2.單項(xiàng)選擇題微電子器件對(duì)加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴(yán)格的要求。我國(guó)潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001中,100級(jí)的含義是:每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個(gè)數(shù)為()
A.35;
B.100;
C.102;
D.237。
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常壓的硅外延方法有()。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
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金屬化中可選用的金屬材料有()。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
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濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題