A.IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
B.繼電器
C.光電耦合器
D.MOSFET
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A.不影響電路性能
B.會感應(yīng)周圍的信號,使EMC特性變壞
C.具有屏蔽作用
D.會影響焊接質(zhì)量
下列PCB圖中,不合理之處有()。
A.鋪銅直接連接過孔
B.鋪銅直接連接焊盤
C.左下角芯片的絲印覆蓋了焊盤
D.左下角芯片沒有指定PIN-1位置
A.當存在多個相同電路設(shè)計模塊時,可以利用多通道原理圖設(shè)計功能簡化設(shè)計復(fù)雜度
B.在圖表符屬性窗口的Designator欄中,運用Repeat關(guān)鍵字命令創(chuàng)建多通道圖表符模塊
C.在圖表入口屬性窗口的Name欄中,運用Repeat關(guān)鍵字命令創(chuàng)建多通道入口名稱
D.在多通道原理圖設(shè)計中,任意通道內(nèi)的元器件標號均唯一
A.LVCMOS
B.LVDS
C.SSTL
D.RSDS
A.合理的阻抗匹配
B.對干擾源做屏蔽
C.利用“1/3上升時間”法則,控制布線長度
D.盡量增大相鄰信號線(非差分對)的間距
最新試題
提高電流密度,可以提高鍍層沉積速率,所以電流密度越高越好。
銅箔起皺的原因有()
板子正反兩面鍍層厚度不均的原因可能是()
加壓過晚,將會出現(xiàn)空洞、氣孔缺陷。在沿著內(nèi)層銅的邊緣出現(xiàn)凹下去的軌跡。
鎳缸PH值過高或鎳濃度過高可能會導(dǎo)致金面粗糙問題。
冬天須加熱槽液,最佳的操作溫度通常介于22-26℃之間。
銅具有良好的導(dǎo)電性和良好的機械性能。
化學(xué)鎳金漏鍍的主要原因有()
載體(c)和光亮劑(b)的交互作用導(dǎo)致產(chǎn)生均勻的表面光亮度。
板彎板翹屬于表面缺陷。