注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。