常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。