摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。