問答題簡述立式爐系統(tǒng)的五部分。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問答題壓力對氧化物生長的影響是什么？
2.問答題解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L的影響。
3.問答題摻雜對氧化物生長的影響是什么？
4.問答題舉出氧化工藝中摻氯的兩個優(yōu)點。
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題