摻雜后退火時間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。