刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。