問(wèn)答題列出并描述兩種主要的光刻膠。
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1.問(wèn)答題給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。
2.問(wèn)答題列出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
3.問(wèn)答題解釋亮場(chǎng)掩膜版和暗場(chǎng)掩膜版。
4.問(wèn)答題描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別？
最新試題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題