IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。