影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。