問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝中是如何形成PN結(jié)的?什么是結(jié)深?
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1.問(wèn)答題摻雜的主要目的是什么?給出硅片制造中的三種主要摻雜應(yīng)用。
3.問(wèn)答題氧化系統(tǒng)的基本組成結(jié)構(gòu)及每一部分的主要作用。
5.問(wèn)答題列出Si—SiO2界面處的四種電荷,說(shuō)明鈉離子是屬于哪一類電荷,以及這一類電荷會(huì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)什么問(wèn)題,工藝中如何解決這一問(wèn)題?
最新試題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型:判斷題
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小,因此其最高工作頻率低。
題型:判斷題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大,因此不能使用。
題型:判斷題
在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題
二極管只能通過(guò)直流電,不能通過(guò)交流電。
題型:判斷題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式,給出本征硅,低濃度摻雜,N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型:?jiǎn)柎痤}
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通,則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型:判斷題
自由電子帶負(fù)電,空穴帶正電。
題型:判斷題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:?jiǎn)柎痤}
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題