進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。