濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。