問(wèn)答題比較干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點(diǎn)。
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1.問(wèn)答題常見(jiàn)的熱氧化生長(zhǎng)二氧化硅的方法有哪些？
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響氧化速率的因素？
3.問(wèn)答題描述熱氧化的基本機(jī)理和兩個(gè)階段。
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5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅器件中二氧化硅膜的作用？
最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題