問答題描述熱氧化的基本機理和兩個階段。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題