光刻工藝對準誤差包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。