三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。