A.熱氧化工藝 B.化學(xué)氣相淀積工藝 C.濺射工藝 D.陽極氧化工藝
最新試題
摻雜后退火時間一般在()。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
金屬化中可選用的金屬材料有()。