常壓的硅外延方法有（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。