影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。