的CMOS組合邏輯門電路，并計算該復(fù)合邏輯門的驅(qū)動能力。
最新試題
因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。
題型：判斷題
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。
題型：問答題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型：判斷題
試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。
題型：問答題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：單項選擇題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。
題型：判斷題
試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：問答題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：問答題
發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)
題型：名詞解釋