問(wèn)答題
畫(huà)出
的CMOS組合邏輯門(mén)電路，并計(jì)算該復(fù)合邏輯門(mén)的驅(qū)動(dòng)能力。
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2.問(wèn)答題用CMOS組合邏輯實(shí)現(xiàn)全加器電路。
3.問(wèn)答題畫(huà)出F=A⊕B的CMOS組合邏輯門(mén)電路。
4.問(wèn)答題
在圖中標(biāo)注出上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、導(dǎo)通延遲時(shí)間、截止延遲時(shí)間，給出延遲時(shí)間tpd的定義。若希望tr=tf，求WN/WP。
最新試題
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型：判斷題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型：判斷題
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
二極管存在最高工作頻率是因?yàn)镻N 結(jié)有電容效應(yīng)。
題型：判斷題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型：名詞解釋