硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。