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填空題半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對(duì)稱(chēng)性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

1.填空題半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）

2.填空題集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

3.填空題摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

4.填空題（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。

5.問(wèn)答題畫(huà)出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。