填空題半導(dǎo)體的中，（）稱(chēng)為費(fèi)米能級(jí)；對(duì)本征半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)位于（），表示（）。費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶，表示（），是（）型半導(dǎo)體；費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶，表示（），是（）型半導(dǎo)體。
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1.問(wèn)答題畫(huà)出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。
4.填空題半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）
5.填空題集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題