問答題簡述硅氣相外延的過程?
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下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
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注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
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