問(wèn)答題摻雜的目的是什么？舉出兩種摻雜方法并比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

題型：?jiǎn)柎痤}

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

題型：?jiǎn)柎痤}

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

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