A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
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A、基準應力為3.3MPa,控制應力為11.0MPa
B、基準應力為3.3MPa,控制應力為33.0MPa
C、基準應力為0.5MPa,控制應力為11.0MPa
D、基準應力為0.5MPa,基準應力為33.0MPa
A、變形測量儀應安裝于試件一側
B、變形測量儀應安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應安裝于試件兩側的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應預先開好安裝槽
A、每次試驗應制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進行軸心抗壓強度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標準規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進行軸心抗壓強度試驗,另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
可用作硅片的研磨材料是()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。