A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
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A、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到1N/cm
C、扯斷伸長率精確到1%
D、扯斷伸長率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃，2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃，無裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
下列是晶體的是（）。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。