刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的特點包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。