摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。