摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）