表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）