單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測(cè)區(qū)內(nèi)測(cè)點(diǎn)數(shù)不少于()。

A.10
B.8
C.6
D.5


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1.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于檢測(cè)單元、測(cè)區(qū)和測(cè)點(diǎn)的劃分錯(cuò)誤的是()。

A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi),不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)

3.單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)在調(diào)查階段下列哪項(xiàng)工作是錯(cuò)誤的()。

A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件

4.單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)不包括()。

A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法

5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到()。

A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm

最新試題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題