A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
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A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
A.10
B.8
C.6
D.5
A.當檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結構單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于6個測區(qū)
A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測完成后在收集工程建設時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結構形式、環(huán)境條件
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
改良西門子法的顯著特點不包括（）
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。