單項(xiàng)選擇題推出法不宜用于當(dāng)水平灰縫的砂漿飽滿度低于()的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
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1.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于(),且應(yīng)為墻體長(zhǎng)度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
2.單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測(cè)試墻體破壞荷載大于()KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于()厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
4.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法,檢測(cè)砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用()。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
5.單項(xiàng)選擇題對(duì)既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對(duì)建筑物的部分或個(gè)別部位檢測(cè)時(shí),一個(gè)檢測(cè)單元的測(cè)區(qū)數(shù)不宜少于()個(gè)。
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題