單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于（），且應(yīng)為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測(cè)試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
3.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法，檢測(cè)砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
4.單項(xiàng)選擇題對(duì)既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對(duì)建筑物的部分或個(gè)別部位檢測(cè)時(shí)，一個(gè)檢測(cè)單元的測(cè)區(qū)數(shù)不宜少于（）個(gè)。
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測(cè)區(qū)內(nèi)測(cè)點(diǎn)數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題